石英玻璃硅片切割微孔来图定制

联系人:张经理 传统机械加工硅片的劣势： 传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势； 1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。 2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。 3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。 4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。 5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。 6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。 7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。 激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案，很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。 晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆便是硅元素加以纯化，接着将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。 晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。 晶圆是 常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。 半导体晶圆片切割的非晶硅单晶硅多晶硅,半导体晶圆片切割，氮化镓,铜铟镓硒， ,等多种基材的精细切割钻孔，蚀刻，微结构,打标和改片切圆异形皆可,厚度-般不超过半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、刻图形字体，各种透光材质都可做，价格优惠打孔厚度0.1mm-40mm 小孔径0.05mm 大孔径90mm尺寸公差 ≥±0.02mm